iPhone 16 Pro 1TB 讀寫效能恐怕下滑,主要是為了搭配 2TB 機型?

外媒最新報導指稱,蘋果正在打算替 iPhone 16 Pro 系列改用更便宜的 NAND 快閃記憶體,將會影響最頂規的 1TB iPhone 16 Pro 機型讀寫速度。

iPhone 16 Pro 1TB 讀寫效能恐怕下滑,主要是為了搭配 2TB 機型?

根據 DigiTimes 最新消息指出,蘋果正考慮降低 iPhone 16 Pro 零件成本,打算替 1TB iPhone 快閃記憶體從高價 TLC NAND 改用採用價格更低的 QLC 四層單元快閃記憶體,外界認為,將會導致新款 iPhone 讀取效能會變慢。

目前蘋果替 iPhone 使用的儲存晶片是採用三級單元 TLC 快閃記憶體,如後續改採用四級單元 QLC NAND,優勢能在更小空間內塞入更多儲存空間,容量提升成本也更低,QLC 缺點就是讀寫速度相對比 TLC 較慢。

且 QLC NAND 耐用性和可靠性也明顯低於 TLC NAND ,在處理持續寫入作業效率會較低,蘋果也可能利用特定的系統優化緩解這些問題。

Burst TLC NAND vs qlc nand

報導也稱,蘋果會打算採用價格較低廉 QLC NAND 快閃記憶體,主要原因是打算替 iPhone 16 Pro 系列提供 2TB 儲存空間,如以 1TB iPhone 15 Pro Max 售價為 58,900 元,比起 512GB 機型貴 7,000 元,未來要推出 2TB 機型相對成本會額外重要,同時設備內部還要能夠塞入更多快閃記憶體。

未來預期可見,配備 128GB、256GB 和 512GB 儲存空間 iPhone 機型將會繼續使用 TLC NAND 快閃記憶體,而 1TB、2TB 將會改用 QLC NAND 。

就算業界普遍在使用 TLC NAND 快閃記憶體,有分析師預估預計 2023 下半年到 2024 上班年 QLC NAND 出貨量會達到 20% 左右,這表明就算讀取速度較慢,使用量依舊會持續成長。

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